TSV通孔清洗工艺突破:等离子清洗机助力12英寸晶圆铜填充良率攀升至99.2%
在半导体技术向着更小尺寸、更高性能和三维集成方向发展的今天,TSV(Through-Silicon Via,硅通孔) 技术已成为实现2.5D/3D先进封装的基石。而12英寸晶圆上的TSV铜填充质量,直接决定了集成芯片的性能、可靠性和最终良率。其中,通孔内部的清洁度是影响电镀铜填充效果最关键、最隐蔽的因素之一。任何微小的残留污染物都可能导致孔洞、缝隙,造成电性故障。如何将TSV铜填充良率稳定提升至99%以上,是摆在所有高端芯片制造商面前的严峻挑战。最新实践表明,一项优化的等离子清洗机工艺在此环节发挥了决定性作用,采用先进封装,晶圆级工艺。成功将这一良率推升至 99.2% 的全新高水平。
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