行业案例

彤程新材半导体光刻胶产线清洗工艺再升级:引入罗丹尼真空等离子清洗机,破解晶圆表面分子级污染物去除难题

近日,国内半导体光刻胶领域领军企业彤程新材料集团股份有限公司,为解决光刻胶研发与检测过程中晶圆表面残留清洗难题,经过多轮技术对比与实地测试,成功采购山东罗丹尼分析仪器有限公司生产的 PCM-5 真空等离子清洗机。该设备采用先进的高频等离子发生技术,可在常温常压下高效去除光刻胶残留、有机污染物和微小颗粒,无化学残留、无基材损伤,将光刻胶清洗效率提升 3 倍以上,同时大幅降低了实验成本和环保压力。此次合作标志着国产半导体清洗设备在高端材料研发领域的应用取得了新突破。

一、项目背景:光刻胶研发中的清洗瓶颈

 

彤程新材料集团股份有限公司是国内领先的综合性新材料服务商,也是国内半导体光刻胶领域的龙头企业。公司通过控股北京科华和北旭电子,构建了从 G 线、I 线到 KrF、ArF 的全系列半导体光刻胶产品矩阵,是国内 8-12 英寸集成电路产线的核心本土材料供应商。

 

在光刻胶的研发与质量检测过程中,晶圆表面的清洗是至关重要的环节。每一款新配方的光刻胶在推向市场前,都需要经过成百上千次的涂覆、曝光、显影和去胶测试,以验证其性能是否符合半导体制造的严苛要求。其中,光刻胶残留的彻底去除直接影响后续测试结果的准确性和重复性。

 

随着半导体制程向 7nm、5nm 及以下演进,对光刻胶的分辨率、灵敏度和耐刻蚀性要求越来越高,光刻胶的成分也变得更加复杂。传统的湿法清洗方法已难以满足先进光刻胶的清洗需求,成为制约彤程新材研发效率提升的关键瓶颈。

 

彤程新材料集团采购罗丹尼PCM-5真空等离子清洗机 攻克半导体光刻胶残留清洗难题

 

彤程新材料集团采购罗丹尼PCM-5真空等离子清洗机 攻克半导体光刻胶残留清洗难题

 

二、传统湿法清洗的三大行业痛点

 

在采购罗丹尼 PCM-5 之前,彤程新材研发实验室主要采用丙酮、异丙醇等有机溶剂浸泡结合超声波清洗的方法去除光刻胶残留。这种方法虽然在过去能够满足基本需求,但在处理先进光刻胶时暴露出了诸多难以克服的问题:

  1. 清洗不彻底,影响测试准确性
    先进光刻胶为了提高耐刻蚀性,通常会添加交联剂等成分,经过曝光和显影后会形成致密的聚合物结构。传统有机溶剂只能溶解表面的光刻胶,对于深层的交联残留和边缘的 "硬壳" 难以彻底去除。这些残留会导致后续的薄膜沉积、刻蚀等工艺出现缺陷,严重影响测试数据的准确性。
  2. 易造成基材损伤,增加实验成本
    长时间的超声波清洗会对晶圆表面的精细结构造成损伤,甚至导致晶圆破裂。同时,有机溶剂可能会与某些光刻胶发生反应,改变其化学性质,影响对光刻胶本身性能的评估。据统计,传统湿法清洗导致的晶圆报废率高达 15% 以上,大幅增加了实验成本。
  3. 环保压力大,危害实验人员健康
    丙酮、异丙醇等有机溶剂具有挥发性和毒性,长期接触会对实验人员的呼吸系统和神经系统造成损害。同时,大量的有机废液需要专门的处理机构进行处置,环保成本逐年上升,且存在一定的安全隐患。

三、选型过程:为什么选择罗丹尼 PCM-5?

 

为了解决上述痛点,彤程新材成立了专门的设备采购小组,对市场上主流的等离子清洗设备进行了全面的调研和对比。经过多轮技术论证和样品测试,最终选择了山东罗丹尼分析仪器有限公司生产的 PCM-5 真空等离子清洗机

 

山东罗丹尼分析仪器有限公司生产的 PCM-5 真空等离子清洗机

 

选择该设备的主要原因包括:

  1. 卓越的光刻胶去除效果
    PCM-5 采用 40KHz 高频射频电源,能够产生高密度、高均匀性的氧等离子体。通过 "物理轰击 + 化学反应" 的双重机制,可将光刻胶彻底分解为 CO₂、H₂O 等挥发性气体,即使是经过高温交联的光刻胶残留也能完全去除。测试结果显示,该设备对 KrF 和 ArF 光刻胶的去除率达到 99.9% 以上,清洗后晶圆表面碳元素含量低于 0.2%。
  2. 低温无损伤处理,保护晶圆和光刻胶
    PCM-5 采用低温等离子体技术,处理过程中晶圆表面温度不超过 45℃,不会对晶圆表面的精细结构和光刻胶本身造成任何热损伤。这对于需要保留光刻胶形貌进行分析的实验尤为重要,能够真实反映光刻胶的性能。
  3. 操作简单,智能化程度高
    设备配备了 5 寸彩色触摸屏人机交互系统,界面清晰直观,内置多组针对不同类型光刻胶的预设清洗程序。实验人员只需将晶圆放入腔体,选择对应的程序,设备即可自动完成抽真空、等离子激发、清洗、充气等全部流程,无需专人值守。同时,设备支持手动模式,便于研发人员进行工艺参数的优化调试。
  4. 绿色环保,运行成本低
    等离子清洗仅消耗电能和少量氧气、氩气等常规气体,无需任何化学试剂,无废液、废气排放,完全符合绿色实验室的建设要求。据测算,PCM-5 的日均运行成本仅为 3-5 元,相比传统湿法清洗,年节省耗材和环保处理费用超过 3 万元。

四、项目成效:研发效率与数据质量双提升

 

彤程新材的光刻胶研发与检测工作

自罗丹尼 PCM-5 真空等离子清洗机投入使用以来,彤程新材的光刻胶研发与检测工作取得了显著的成效:

  1. 清洗效率大幅提升
    单批次可同时处理 6 片 8 英寸晶圆,清洗周期从原来的 2 小时缩短至 30 分钟,日处理能力提升了 3 倍以上。这使得研发团队能够在更短的时间内完成更多的配方测试,大大加快了新产品的研发进度。
  2. 数据准确性显著提高
    彻底的清洗效果消除了残留污染物对测试结果的干扰,实验数据的重复性和可靠性大幅提升。在多次内部盲样测试中,使用 PCM-5 清洗后的样品测试结果偏差小于 ±1%,远高于传统湿法清洗的 ±5%。
  3. 实验成本大幅降低
    晶圆报废率从 15% 降至 1% 以下,同时省去了有机溶剂采购和废液处理的费用。此外,全自动化的操作流程将实验人员从繁琐的手工清洗工作中解放出来,使其能够将更多的精力投入到核心的研发工作中。
  4. 实验室环境得到改善
    无化学试剂挥发和废液排放,彻底消除了实验室的异味和安全隐患,为实验人员创造了一个更加健康、安全的工作环境。

罗丹尼 PCM-5 真空等离子清洗机操作流程

五、结语

 

此次彤程新材料集团采购罗丹尼 PCM-5 真空等离子清洗机,是国产半导体设备与国产半导体材料企业强强联合的典范。该设备的成功应用,不仅解决了光刻胶研发过程中的清洗难题,提升了彤程新材的研发效率和产品质量,也证明了国产等离子清洗设备完全能够满足高端半导体领域的应用需求。

 

山东罗丹尼分析仪器有限公司作为国内专业的实验室分析仪器制造商,始终致力于为客户提供高品质、高性能的表面处理设备和完善的售后服务。未来,罗丹尼将继续加大研发投入,不断推出更多符合半导体行业需求的创新产品,为我国半导体产业的自主可控发展贡献力量。

 

Q&A 常见问题解答

Q1:等离子清洗机可以去除哪些类型的光刻胶?
A1:罗丹尼 PCM-5 等离子清洗机可以有效去除 G 线、I 线、KrF、ArF 等各种类型的正性和负性光刻胶,包括经过高温交联和离子注入后的光刻胶残留。

Q2:等离子清洗会改变光刻胶的性能吗?
A2:在适当的工艺参数下,等离子清洗只会去除晶圆表面的光刻胶残留,不会改变未曝光或未显影光刻胶的化学性质和物理性能,完全满足研发测试的要求。

Q3:PCM-5 等离子清洗机的腔体尺寸是多少?
A3:PCM-5 的标准腔体容积为 5L,可同时容纳 6 片 8 英寸晶圆或 4 片 12 英寸晶圆。也可根据客户需求定制更大尺寸的腔体。

Q4:设备的维护成本高吗?
A4:PCM-5 采用模块化设计,核心部件使用寿命长,故障率低。日常维护仅需定期清洁腔体和更换真空泵油,年维护成本不超过 2000 元。

Q5:罗丹尼提供哪些售后服务?
A5:罗丹尼提供免费的安装调试和操作培训服务,设备整机保修一年,终身维护。同时,公司在全国多个城市设有售后服务网点,能够在 24 小时内响应客户的服务需求。

 

 

 

 

彤程新材半导体光刻胶产线清洗工艺再升级:引入罗丹尼真空等离子清洗机,破解晶圆表面分子级污染物去除难题

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