上海微电子晶圆级封装前道光刻胶剥离:185nm/254nm紫外臭氧清洗设备选型指南与客户试件实测
晶圆级封装前道工艺中,光刻胶残留是影响良率的关键问题。185nm和254nm双波长紫外臭氧清洗设备可在不损伤晶圆表面的前提下高效剥离光刻胶。本文结合上海微电子等客户的实际试件数据,对紫外臭氧清洗机选型进行对比分析,并推荐一款经过多次检测验证、性价比突出的设备型号,供有同类需求的采购人员参考。
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